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Dataram Value Memory - DDR3L - módulo - 4 GB

Dataram Value Memory - DDR3L - módulo - 4 GB

Ref. DVM16S1L8/4G
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Dataram Value Memory - DDR3L - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 espigas - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - sin búfer - no ECC

  • Descripción del producto : Dataram Value Memory - DDR3L - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 espigas - 1600 MHz / PC3L-12800 - sin búfer
  • Tipo de producto : Módulo de memoria
  • Características : Baja tensión
    Fila única
    On-Die Termination (ODT)
    Sin búfer
  • Encabezamiento / Gama de productos : Dataram Value Memory
  • Encabezamiento / Marca : Dataram
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Cantidad
Disponible

Detalles del producto

Descripción del producto
Dataram Value Memory - DDR3L - módulo - 4 GB - SO DIMM de 204 espigas - 1600 MHz / PC3L-12800 - sin búfer
Tipo de producto
Módulo de memoria
Características
Baja tensión
Fila única
On-Die Termination (ODT)
Sin búfer
Encabezamiento / Gama de productos
Dataram Value Memory
Encabezamiento / Marca
Dataram
Encabezamiento / Fabricante
Dataram
Encabezamiento / Cantidad empaquetada
1
Tecnología
DDR3L SDRAM
Capacidad
4 GB
Tipo
DRAM módulo de memoria
Factor de forma
SO DIMM de 204 espigas
Cumplimiento de normas
RoHS
Garantía del fabricante
Garantía limitada de por vida
Servicio y mantenimiento
Garantía limitada de por vida
Servicio y mantenimiento / Tipo
Garantía limitada de por vida
Memoria RAM / Tecnología
DDR3L SDRAM
Memoria RAM / Factor de forma
SO DIMM de 204 espigas
Memoria RAM / Velocidad de memoria
1600 MHz
Tipo de memoria
DDR3L SDRAM - SO DIMM de 204 espigas
Tipo de actualización
Genérica
Comprobación integridad datos
No ECC
Velocidad
1600 MHz (PC3L-12800)
Memoria RAM / Tipo
DRAM
Memoria RAM / Comprobación integridad datos
No ECC
Memoria RAM / Tipo de actualización
Genérica
Memoria RAM / Conforme a la especificación de memoria
PC3L-12800
Memoria RAM / Registrada o buffered
Sin búfer
Memoria RAM / Capacidad de almacenamiento
4 GB
4GB
Memoria RAM / Tipo de producto
Módulo de memoria
Altura del módulo (pulgadas)
1.18
Organización de los chips
256 x 8
Tensión
1.35 V
Tiempos de latencia
CL11 (11-11-11)
Memoria RAM / Latencia CAS
CL11
Configuración de módulos
512 x 64

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